节目预告|《强国智造》栏目2026年10月21日：《超致逐光》

• 时间：2026-10-26
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2026/10/21  星期三 11:49

2026/10/21  星期三 19:49

2026/10/22  星期四 08:49

2026/10/22  星期四 15:49

2026/10/22  星期四 23:49

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（如频道播出时间有所调整，以频道播出时间为准)

禹久赢是功率半导体行业老兵，三十余年坚守赛道，带领团队成长为国内高端功率半导体领域实现技术突破的企业。团队是全球首家推出超结 IGBT 器件的原厂，也是国内首家完成多层外延超结 MOS 技术量产的主体，在硅基功率半导体领域取得重大技术突破。早在上世纪九十年代，禹久赢就进入国内头部半导体企业，成为国内最早接触高端功率半导体的一批从业者，多年行业积淀，为后续创业打下扎实基础。本世纪初期，国内高端功率半导体尚处在技术探索与初步商业化阶段。硅基 IGBT、MOSFET 主导市场，全球市场由海外巨头垄断，核心技术与产能高度集中。国内高端功率器件长期依赖进口。面对产业困局，禹久赢与一众行业同仁开始反思，自主研发高端功率半导体、打破海外技术壁垒的想法在心底扎根。打造国产民族品牌，走出高端功率半导体国产替代之路，成为他们坚定的目标。2010 年，禹久赢结识电子科技大学陈星弼院士。陈星弼院士是国际上率先提出超级结理论的科学家，该理论打破功率半导体行业的 “硅极限”，为后续技术突破筑牢理论根基。2015 年，禹久赢联合多名行业资深从业者，在上海张江开启自主攻坚之路。

自主研发之路充满挑战。团队沉心钻研，历经七年持续攻关，经过无数次试验调试，攻克全部核心技术难关，成功推出全球首款超结 IGBT 器件。这项成果拥有中国自主知识产权，凭借更快开关速度、更大电流密度，在 IGBT 领域实现对海外产品的赶超，有力推动国内高端功率半导体自主可控。与此同时，团队完成多层外延超结 MOS 技术国内首次量产，为国内功率半导体产业崛起注入动能。企业搭建起多系列高端功率器件产品体系，产品涵盖高压超结 MOSFET、中低压 SGT-MOS、碳化硅器件以及全球首创量产型超结 IGBT。团队独创多通道超结结构，优化电场与电流分布，提升器件可靠性与耐温区间；融合场截止型 IGBT 与超结结构，在短漂移区实现高耐压、低损耗，突破传统硅材料极限，以硅基成本实现优于海外同类产品的性能。超结 IGBT 产品功率密度、可靠性、一致性表现突出，顺利通过严苛行业认证，相关科研成果刊发在微电子领域国际顶级期刊。

技术最终面向产业应用。系列器件广泛应用于消费电源、家电、储能逆变、不间断电源、新能源汽车、AIPC 等场景，覆盖工业、车规、高端消费电子核心赛道。其中超结 IGBT 的高速开关能力，可实现大功率逆变器升频，支撑直流电机与交流变频器高频化发展。持续创新收获多项权威认可，企业获评上海市高新技术企业、国家级专精特新 “小巨人” 等资质，斩获数十项中美发明专利。这支心怀家国的研发团队坚守匠心，持续打磨产品。从跟跑、并跑到局部领跑，从技术追随到实现超越，从单点技术突破到赋能全产业链，国产高端功率半导体力量稳步向前，书写民族科技自立自强的崭新篇章。